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（原标题：MCU推动新兴存储狂飙）🔥欧洲杯正规(买球)下单平台·中国官方全站
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源流：内容由半导体行业不雅察（ID：icbank）编译自yole，谢谢。
据Yole报谈，新兴 NVM 工夫（MRAM、PCM 和 RRAM）在用于物联网、可衣裳成立和边际 AI 成立的微阻挡器 (MCU) 和低功耗 SoC/ASIC 中的镶嵌式代码/数据存储方面继续取得能源。小于 28nm 几何尺寸贫穷具有本钱竞争力的 eFlash 处理有洽商是推动顶级代工场（举例台积电、三星、GlobalFoundries、UMC）和 IDM（举例意法半导体、英飞凌、恩智浦）积极投资在 ≤ 28nm 的节点上集成镶嵌 NVM 工夫的主要原因。
镶嵌式新兴 NVM 晶圆产量具有繁盛发展的后劲，从 2023 年的约 3 KWPM 增长到 2029 年的约 110 KWPM (CAGR23-29~80%)。就收入而言，咱们推测镶嵌式市集到 2029 年可能达到约26亿好意思元，其中三种主要的 eNVM 工夫具有访佛的增长后劲。
增长最快的细分市集是用于 MCU 的镶嵌式 NVM，瞻望到 2029 年将占镶嵌式新兴 NVM 收入的 80% 以上。遴荐新兴 eNVM 的 MCU 晶圆数目将相配飞速增长，从 2023 年的不及 1 KWPM 2029 年达到 47 KWPM (CAGR23-29~124%)。
业界一致以为28/22nm将是eFlash的罢了，不是因为可彭胀性规则，而是因为经济梗阻。因此，镶嵌式新兴 NVM（举例 eMRAM、ePCM 和 eRRAM）相配受接待，因为它们不错使用相对较少数目的光刻掩模（≤ 3）集成到分娩线后端 (BEOL) 中。镶嵌式超等闪存（SST-Microchip）和 MONOS（举例瑞萨电子）处理有洽商可遴荐 28 纳米工艺，并有可能彭胀到更小的几何尺寸。可是，它们的制酿本钱和复杂性在较小的节点上将赫然加多（举例，28nm 时掩模的数目> 25）。
天然 eMRAM 照旧挫折破费市集，很多公司在往日几年推出了生意居品（举例 Nordic、Alif Semiconductors、Sony、Ambiq），但 eRRAM 和 ePCM 在主要汽车市集渗入率的推动下处于杰出地位。 MCU 供应商包括英飞凌 (eRRAM) 和意法半导体 (ePCM)。工业市集是下一个目标，意法半导体率先推出了基于ePCM的MCU（18nm FDSOI）。
咱们对 eMRAM 在汽车左右中的后劲保抓乐不雅作风，恩智浦瞻望将于 2025 年运行提供 16 纳米 FinFET MCU 样品。可是，与很多实质用例比较，磁抗扰性天然不是一个要道问题，但可能会减缓 eMRAM 的遴荐eRRAM 和 ePCM。
台积电、三星、格罗方德和联电等主要代工场以及 IDM 公司（举例意法半导体）正在加大遴荐 eNVM 工夫的 28/22 纳米晶圆的分娩，并为下一代小于 20 纳米的节点作念好准备。
台积电现在正在分娩 eMRAM (22nm) 和 40nm (BCD)、28nm 和 22nm 的 eRRAM。该公司正在投入 16nm FinFET eMRAM 和 12nm eRRAM 的预分娩阶段。
三星现在正死力于开拓基于 14 纳米 FinFET 的 eMRAM。 2023 年 10 月，在德国晶圆代工论坛上，三星晓示将分裂于 2026 年和 2027 年鼓吹基于 8 纳米和 5 纳米的 eMRAM。值得珍重的是，三星尚未深远 RRAM 开拓经营。
2023 年 2 月，GlobalFoundries 收购了瑞萨电子的 CBRAM 工夫（发轫由 Adesto 开拓），对准破费类左右，其中包括家庭和工业物联网以及智能出动成立。 GlobalFoundries 还在评估其他 eRRAM 选项（举例 Weebit 的工夫），并针对工业和汽车市集优化其 22nm FDSOI eMRAM。 GlobalFoundries 的下一个 eMRAM 节点是 12 纳米。
意法半导体继续十足专注于 ePCM 的阶梯图扩充。 2024年3月，该公司推出了基于18nm FDSOI和ePCM的STM32 MCU。该工夫是与三星代工场共同开拓的，将用于工业、通讯和医疗保健左右。注：尚未深远三星代工场是否会免费提供 18 纳米 FDSOI 上的 ePCM。
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